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技術文章
TECHNICAL ARTICLES隨著科學技術的發(fā)展和進步，對材料的性能要求也越來越高，傳統(tǒng)材料由于結構單一，綜合性能不夠突出，難以滿足對多性能耦合要求的服役環(huán)境。但是由多種不同性能的材料通過物理或者化學方法結合制備而成的復合材料，既能保持各組元材料*的性能，也能取長補短，產(chǎn)生協(xié)同效應，使新制備的復合材料綜合性能遠優(yōu)于各組員材料的性能，從而滿足不同復雜工況的要求。自然界中也有很多類似的結構，軟/硬相結合的多層結構可以提高其強度硬度的同時也能有很好的韌性。下圖為貝類外殼的層狀結構。圖1貝類外殼顯微結構由于異種金...
近些年來，科技的不斷發(fā)展和進步，使得傳統(tǒng)材料已無法滿足多種產(chǎn)業(yè)對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發(fā)是現(xiàn)今新科技發(fā)展的重要方向，而復合材料的出現(xiàn)在較大程度上解決了材料所面臨的問題，促進了材料的發(fā)展。復合材料是由２種或２種以上不同性質的材料，通過物理或化學的方法，在宏觀（微觀）上組成的具有新性能的材料。由于具備較高的比強度和比剛度，金屬基復合材料的研究和發(fā)展受到了眾多行業(yè)尤其是重工業(yè)的密切關注，然而加工困難是限制其工業(yè)應用的瓶頸問題，成本控制問題也并沒有得到完*，所以...
熱壓爐是將真空/氣氛、熱壓成型、高溫燒結結合在一起，主要用于粉末陶瓷材料和粉末燒結材料在真空（或保護氣氛）狀態(tài)下的高溫燒結和熱壓處理，也可用于其他金屬或非金屬材料在真空（或保護氣氛）狀態(tài)下的高溫燒結和熱壓處理。熱壓爐的結構詳細說明：1、爐體部分：立式爐殼其內(nèi)層為不銹鋼制成的園筒外層為碳鋼。兩層之間形成夾套可以通冷卻水將傳到爐殼上的熱量帶走，使爐壁溫度不超過60℃，其上下法蘭焊接為一個整體。中間開有紅外測溫孔，熱電偶測溫孔、抽氣孔及觀察孔，鉑銠熱電偶有到溫自動退出裝置，紅外測溫...
箱式可控氣氛爐的種類很多，有周期式和連續(xù)式兩種。周期爐：有井式爐和密封箱式爐（又稱多用爐），適用于多品種小批量生產(chǎn)，可用于光亮淬火、光亮退火、滲碳、碳氮共滲等熱處理。連續(xù)爐：有推桿式、轉底式及各種形式的連續(xù)式可控氣氛滲碳生產(chǎn)線等，適用于大批量生產(chǎn)，可以進行光亮淬火、回火、滲碳及碳氮共滲等熱處理。本設備具備的安全措施：1、設備爐溫低于750℃時，可燃氣電磁閥自動鎖死，不能打開;爐溫高于750℃時，可燃氣電磁閥才能打開向爐內(nèi)供氣;爐溫低于750℃時，氮氣電磁閥自動打開，向爐內(nèi)通入...
箱式可控氣氛爐殼體采用優(yōu)質碳鋼焊接，外形美觀大方，結構設計先進合理，智能溫度控制儀，備標準PID、人工智能調節(jié)APID或MPT等多種調方式，具有自整定、自學習功能，無超調及無欠調的優(yōu)良控制特，具備30段程序控制功能，可實現(xiàn)任意斜率的升、降溫控制，具有跳轉循環(huán)）、運行、暫停及停止等可編程/可操作命令，并允許在程序的控制運行中隨時修改程序；采用具備曲線擬合功能的人工智能調節(jié)算法，能獲得光滑平順的曲線控制效果；爐膛采用多晶莫來石維材料，真空氣氛爐保溫節(jié)能。箱式可控氣氛爐廣泛用于高等...
金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強相可以分為連續(xù)纖維增強（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續(xù)纖維增強（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強，氧化鋁纖維等短纖維增強）和疊層復合三類...
隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電子產(chǎn)品正在向著質量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復雜、可靠性高這一方向發(fā)展。這就要求功率模塊在瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)情況下都要有良好的導熱導電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會引起模塊和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來了一些了問題如溫度漂移等，會嚴重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問題，近年來，納米銀燒結技術受到了越來越多研究者的關注。圖1蘋果手機主板上的器件集成度越來越高低溫燒結互連技術...
碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來，國內(nèi)外對PVT工藝的開發(fā)投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應力就顯...
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